RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
25.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
4167
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link