RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
25.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
19.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
74
Por volta de -196% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
25.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
19.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
4167
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link