RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
65
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
4.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
47
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
4.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
985
2875
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparações de RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1869DT1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link