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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
65
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
47
读取速度,GB/s
6.1
14.8
写入速度,GB/s
4.2
11.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2875
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
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