RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
65
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2875
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lenovo 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link