RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
65
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
47
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
2875
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link