RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
74
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3837
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link