RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
22.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
74
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
22.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3837
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link