RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
22.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
74
En -131% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3837
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link