RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3169
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link