RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2195
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.M16FJD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link