RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
74
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2569
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link