RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3075
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link