RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3260
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link