RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3260
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link