RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
74
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2994
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link