RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
85
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
85
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1118
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link