RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
85
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
85
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
11.3
Скорость записи, Гб/сек
10.6
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
1118
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link