RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
74
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2605
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link