RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
74
Около -139% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2605
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link