RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
74
Wokół strony -311% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3597
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link