RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
73
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3350
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link