RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2808
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link