RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3313
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link