RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3313
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link