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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
73
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3313
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
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