RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3030
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link