RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3784
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link