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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
3,510.5
17.0
写入速度,GB/s
1,423.3
16.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3784
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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