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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
43
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
18
读取速度,GB/s
12.3
21.2
写入速度,GB/s
8.1
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3663
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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