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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

总分
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.9
    测试中的平均数值
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB 需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 66
    左右 -175% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 16.9
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2821

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
内存RAM
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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内存RAM