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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
16.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3784
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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