RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2577
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link