RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
73
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2577
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link