RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3246
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link