RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
73
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3246
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link