RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2090
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link