RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2090
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link