RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2880
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link