RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2346
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link