RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
73
Wokół strony -265% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3127
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link