RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
73
Rund um -265% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3127
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link