RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
73
Около -265% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3127
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link