RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2513
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link