RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
69
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2513
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link