RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3215
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link