RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3051
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link