RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
79
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
79
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
7.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1671
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link