RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3353
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link