RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
4150
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link