RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3509
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link